p align="left">Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде: .MODEL <имя модели>GASFET [(параметры модели)] Арсенид-галлиевые полевые транзисторы (GaAsFET) являются приборами с каналом n-типа и имеют три модели, предложенные Куртисом (Curtice), Рэйтеоном (Raytheon) и TriQuint модель. Модель Куртиса дает удовлетворительные результаты лишь при расчете статического режима. Остальные модели отражают и динамические характеристики арсенид-галлиевого транзистора. Параметры трех математических моделей приведены в табл. 3. Таблица 3. Параметры модели арсенид-галлиевого транзистора |
Обозначение | Параметр | Значение по умолчанию | Единица измерения | | LEVEL | Тип модели: 1 -- модель Куртиса, 2 -- модель Рэйтеона, 3 -- модель TriQuint | 1 | | | VTO | Барьерный потенциал перехода Шоттки или пороговое напряжение | -2,5 | В | | ALPHA | Коэффициент для напряжения насыщения тока стока | 2,0 | 1/В | | В | Параметр легирования (Level=2) | 0,3 | 1/В | | BETA | Удельная крутизна (удельная передаточная проводимость) | 0,1 | А/В2 | | LAMBDA | Параметр модуляции длины канала | 0 | 1/В | | GAMMA | Параметр статической обратной связи (для Level=3) | 0 | | | DELTA | Параметр выходной обратной связи (для Level=3) | 0 | (АВ)-1 | | Q | Показатель степени (для Level=3) | 2 | -- | | RG | Объемное сопротивление области затвора | 0 | Ом | | RD | Объемное сопротивление области стока | 0 | Ом | | RS | Объемное сопротивление области истока | 0 | Ом | | CGD | Емкость затвор-сток при нулевом смещении | 0 | Ф | | CGS | Емкость затвор-исток при нулевом смещении | 0 | Ф | | CDS | Емкость сток-исток фиксированная | 0 | Ф | | IS | Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал | 1E-14 | А | | M | Коэффициент плавности p-n-перехода затвора | 0,5 | | | N | Коэффициент эмиссии p-n-перехода затвор-канал | 1 | -- | | FC | Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного p-n-перехода затвора | 0,5 | | | VBI | Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора | 1 | В | | EG | Ширина запрещенной зоны | 1,11 | эВ | | XTI | Температурный коэффициент тока IS | 0 | | | VDELTA | Напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3) | 0,2 | В | | VMAX | Максимальное напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3) | 0,5 | В | | VTOTC | Температурный коэффициент VTO | 0 | В/°С | | ВЕТАТСЕ | Температурный экспоненциальный коэффициент BETA | 0 | %/C | | TRG1 | Линейный температурный коэффициент RG | 0 | 1/°С | | TRD1 | Линейный температурный коэффициент RD | 0 | 1/°С | | TRS1 | Линейный температурный коэффициент RS | 0 | 1/°С | | KF | Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума | 0 | | | AF | Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход | 1 | | | T_MEASURED | Температура измерения | -- | °С | | T_ABS | Абсолютная температура | -- | °С | | T_REL_GLOBAL | Относительная температура | -- | °С | | T_REL_LOCAL | Разность между температурой транзистора и модели-прототипа | | °С | | |
Рис. 4. Модель арсенидгаллиевого полевого транзистора 3. Полевой транзистор (JFET) Формат схем МС: Атрибут PART: <имя> Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vds>[,Vgs]] Атрибут MODEL: [имя модели] Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC задает начальное напряжение сток-исток Vds и затвор-сток Vgs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. Модель полевого транзистора задается в виде: .MODEL <имя модели> NJF [(параметры модели)] .MODEL <имя модели> PJF [(параметры модели)] Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом описываются моделью Шихмана-Ходжеса. Таблица 5. Параметры модели полевого транзистора |
Обозначение | Параметр | Значение по умолчанию | Единица измерения | | VTO | Пороговое напряжение | -2 | В | | BETA | Коэффициент пропорциональности (удельная передаточная проводимость | 1E-4 | А/В2 | | LAMBDA | Параметр модуляции длины канала | 0 | 1/В | | IS | Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал | 1E-14 | А | | RD | Объемное сопротивление области стока | 0 | Ом | | RS | Объемное сопротивление области истока | 0 | Ом | | CGD | Емкость перехода затвор-сток при нулевом смещении | 0 | Ф | | CGS | Емкость перехода затвор-исток при нулевом смещении | 0 | Ф | | M | Коэффициент плавности перехода затвор-исток | 0,5 | | | FC | Коэффициент нелинейности емкостей переходов при прямом смещении | 0,5 | " | | PB | Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора | 1 | В | | VTOTC | Температурный коэффициент VTO | 0 | В/°С | | ВЕТАТСЕ | Температурный экспоненциальный коэффициент BETA | 0 | %/°С | | XTI | Температурный коэффициент тока IS | 3 | -- | | KF | Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума | 0 | | | AF | Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока | 1 | | | T_MEASURED | Температура измерения | -- | °С | | T_ABS | Абсолютная температура | -- | °С | | T_REL_GLOBAL | Относительная температура | -- | °С | | T_REL_LOCAL | Разность между температурой транзистора и модели-прототипа | | °С | | |
Рис. 6. Модель полевого транзистора с управляющим p-n переходом 4. МОП-транзистор (MOSFET) Формат схем МС: Атрибут PART: <имя> Атрибут VALUE: [L=<значение>] [W=<значение>][АD=<значение>] [АS=<значение>] + [РD=<значение>] [РS=<значение>] [NRD=<значение>] [NRS=<значение>] + [NRG=<значение>] [NRВ=<значение>] [OFF] [IC=< Vds>[, Vgs[, Vbs]]] Атрибут MODEL: [имя модели] Параметр IC задает начальное напряжение сток-исток Vds, затвор-сток Vgs и затвор-подложка Vbs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве .MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые в диалоговом окне Global Settings
Страницы: 1, 2, 3
|