е IICSL, IICSH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам вибору (CS) ВІС ОЗП.CСS - вхідна ємкість по ланцюгам вибору мікросхем (CS) ВІС ОЗП.Значення ICSL, ICSH и CCS не повинні перевищувати максимально допустимі значення для обраних мікросхем, що забезпечують вибір ВІС ОЗП.Рис.6 Умовно графічне позначення ОЗП К537РУ10Найменування виводів:A0 ч A10 - адресні входи.W/R - запис/зчитування.CS1 - chip select, чіп вибору.CEO - виход дозволу.D0 ч D7 - шина даних вводу/виводу.ОЗП представляє собою статичний асинхронний оперативно запом'ятовуючий пристрій.Режими роботи ОЗП: |
CS | OE | WR | A0. .10 | D0. .7 | Режим | | M | X | X | Адрес | Дані | Зберігання | | L | X | L | | | Запись | | L | L | H | | | Зчитування | | L | H | H | | | Заборона виходу | | |
Технологічні та електричні характеристики К537РУ10: Технологія - КМОП Організація - 2КЧ8 Час виборки, ns - не більш 220 Напруга живлення, V - 5 Струм живлення, мА у режимі звернення - 30 у режимі зберігання - 1-2 Вхідна напруга, V при логічному 0 - min 0 - max 0,4 при логічній 1 - min 0,9Ucc - max 0,5 Вихідна напруга, V при логічному 0 - min 0 - max 0,4 при логічній 1 - min 2,4 - max 0,4 Вихід - 3 с. Діапазон робочих температур, єС - - 10 - +70 Розрахуємо ПЗП: Оскільки по завданню необхідно створити ПЗП емкість 5К8, то було прийнято рішення використати дві схеми емкістю 2К8 та одну 1К8. Початкові дані для мікросхеми КР556РТ20 1К8: Кількість комірок зовнішнього ПЗП NОЗУ - 1КЧ8 Вхідні струми: при логічному 0, IIL - 0,25 мА при логічній 1, IIH - 0,04 мА Вхідна ємкість логічних схем навантаження, СI - 5 пФ Монтажні ємкості усіх ланцюгов (См = 20 пФ). Згідно завдання кількість комірок ПЗП складає NОЗУ. Розрядність ПЗП nОЗУ повинна відповідати розрядності обробки даних ЦП. Інформаційна ємкість СОЗУ визначається по формулі: Необхідна швидкодія ПЗП визначається по тимчасовим діаграмам ЦП. Для МК ATmega128 тривалість циклу запису (зчитування) tС равно 2ТМТ, де ТМТ - тривалість машинного такту. При частоті кварцевого резонатора fтг = 9 МГц тривалість tС дорівнює: Тривалість циклу мікросхеми пам'яті tcy повинна задовольняти нерівності: У якості мікросхеми ПЗП виберемо КР556РТ20, тому що вона ідеально підходить і не створює збитковості для даного випадку. Для даної мікросхеми пам'яті ємкість 1К, а розрядність слова 8 біт: . Розрахуємо число ВІС ПЗП в ряду матриці: де nБИС - розрядність обраної мікросхеми пам'яті. Визначимо число розрядів стовбців матриці: де NБИС - кількість комірок обраної мікросхеми пам'яті. Загальна кількість ВІС ПЗП дорівнює: Таким чином, кількість корпусів ПЗП дорівнює 1. Визначимо стум навантаження і ємкістне навантаження для схем вводу адреси по ланцюгам адресу ВІС ПЗП по формулам: IAL = m IIAL = 1 * 0,25 = 0,25 мА IAH = m IIAH = 1 * 0,04 = 0,04 мА CA = m CIA + Cm = 1 * 5 + 20 = 25 пФ де IIАL, IIAH - вхідні токи логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам адресу обраної ВІС ПЗП. CIА - вхідна ємкість по входу адресу ВІС ПЗП. Визначимо струми навантаження ICSL, ICSH і величину ємкісного навантаження СCS по ланцюгам вибору мікросхем (CS) по формулам: ICSL = mp IICSL = 1 * 0,25 = 0,25 мА ICSH = mp IICSH = 1 * 0,04 = 0,04 мА CCS = mp CICS + Cm = 1 * 5 + 20 = 25 пФ де IICSL, IICSH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам вибору (CS) ВІС ПЗП. CСS - вхідна ємкість по ланцюгам вибору мікросхем (CS) ВІС ПЗП. Враховуючи, що на відміну від ОЗП інформація з ПЗП тільки зчитується, то необхідно визначити струми навантаження і ємкість навантаження на інформаційні виходи ВІС ПЗП по формулам: IQL = mР IIL = 1 0,25 = 0,25 мА IQH = mР IIH = 1 0,04 = 0,04 мА CQ = mC CQO + mР CI + Cm = 1 5 + 1 5 + 20 = 30 пФ де IQL, IQH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 мікросхем навантаження ВІС ПЗП, CQO - вихідна ємкість одного інформаційного виходу ВІС ПЗП, CI - вхідна ємкість мікросхем навантаження ВІС ПЗП. Отримані значення струмів не повинні перевищувати граничні значення для обраних мікросхем пам'яті. Рис.7 Умовно графічне позначення ПЗП КР556РТ20 Найменування виводів: A0 ч A9 - адресні входи. D0 ч D7 - шина даних вводу/виводу. CECS, CECS1 - вибір мікросхеми Технологічні та електричні характеристики КР556РТ20: Технологія - ТТЛШ Організація - 1КЧ8 Час виборки, ns - не більш 65 Напруга живлення, V - 5 Струм живлення, мА - 180 мА Вхідна напруга, V при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5 при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5 Вихідна напруга, V при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5 при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5 Вихід - 3 с. Потужність споживання, mW - 875 Діапазон робочих температур, єС - - 10 - +70 Початкові дані для мікросхеми КР556РТ18 2К8: Кількість комірок зовнішнього ПЗП NОЗУ - 4КЧ8 Вхідні струми: при логічному 0, IIL - 0,25 мА при логічній 1, IIH - 0,04 мА Вхідна ємкість логічних схем навантаження, СI - 5 пФ Монтажні ємкості усіх ланцюгів (См = 20 пФ). Згідно завдання кількість комірок ПЗП складає NОЗУ. Розрядність ПЗП nОЗУ повинна відповідати розрядності обробки даних ЦП. Інформаційна ємкість СОЗУ визначається по формулі: Необхідна швидкодія ПЗП визначається по тимчасовим діаграмам ЦП. Для МК ATmega128 тривалість циклу запису (зчитування) tС равно 2ТМТ, де ТМТ - тривалість машинного такту. При частоті кварцевого резонатора fтг = 9 МГц тривалість tС дорівнює: Тривалість циклу мікросхеми пам'яті tcy повинна задовольняти нерівності: У якості мікросхеми ПЗП виберемо КР556РТ20, тому що вона ідеально підходить і не створює збитковості для даного випадку. Для даної мікросхеми пам'яті ємкість 1К, а розрядність слова 8 біт: . Розрахуємо число ВІС ПЗП в ряду матриці: де nБИС - розрядність обраної мікросхеми пам'яті. Визначимо число розрядів стовбців матриці: де NБИС - кількість комірок обраної мікросхеми пам'яті. Загальна кількість ВІС ПЗП дорівнює: Таким чином, кількість корпусів ПЗП дорівнює 2. Визначимо стум навантаження і ємкістне навантаження для схем вводу адреси по ланцюгам адресу ВІС ПЗП по формулам: IAL = m IIAL = 2 * 0,25 = 0,50 мА, IAH = m IIAH = 2 * 0,04 = 0,08 мА CA = m CIA + Cm = 2 * 5 + 20 = 30 пФ де IIАL, IIAH - вхідні токи логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам адресу обраної ВІС ПЗП. CIА - вхідна ємкість по входу адресу ВІС ПЗП. Визначимо струми навантаження ICSL, ICSH і величину ємкісного навантаження СCS по ланцюгам вибору мікросхем (CS) по формулам: ICSL = mp IICSL = 1 * 0,25 = 0,25 мА ICSH = mp IICSH = 1 * 0,04 = 0,04 мА CCS = mp CICS + Cm = 1 * 5 + 20 = 25 пФ де IICSL, IICSH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам вибору (CS) ВІС ПЗП. CСS - вхідна ємкість по ланцюгам вибору мікросхем (CS) ВІС ПЗП. Враховуючи, що на відміну від ОЗП інформація з ПЗП тільки зчитується, то необхідно визначити струми навантаження і ємкість навантаження на інформаційні виходи ВІС ПЗП по формулам: IQL = mР IIL = 1 0,25 = 0,25 мА IQH = mР IIH = 1 0,04 = 0,04 мА CQ = mC CQO + mР CI + Cm = 2 5 + 1 5 + 20 = 35 пФ де IQL, IQH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 мікросхем навантаження ВІС ПЗП, CQO - вихідна ємкість одного інформаційного виходу ВІС ПЗП, CI - вхідна ємкість мікросхем навантаження ВІС ПЗП. Отримані значення струмів не повинні перевищувати граничні значення для обраних мікросхем пам'яті. Рис.8 Умовно графічне позначення ПЗП КР556РТ18 Найменування виводів: A0 ч A10 - адресні входи. D0 ч D7 - шина даних вводу/виводу. CS1 ч СS3 - вибір мікросхеми Технологічні та електричні характеристики КР556РТ20: Технологія - ТТЛШ Організація - 2КЧ8 Час виборки, ns - не більш 60 Напруга живлення, V - 5 Струм живлення, мА - 180 мА Вхідна напруга, V при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5 при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5 Вихідна напруга, V при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5 при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5 Вихід - 3 с. Потужність споживання, mW - 875 Діапазон робочих температур, єС - - 10 - +70 Рис.9 - Схема підключення процесорного блоку і пам'яті 2.3 Інтервальний таймерОдним з елементів, обумовлених завданням, є інтервальний таймер i8254. Таймер призначений для формування затримок послідовності імпульсів, формування одиночних імпульсів заданої тривалості, формування стробуємих імпульсів із програмованою затримкою. Виконаний по n-МОП технології.Рис.10 - Умовне графічне позначення таймеру i8254D0 - D7 - двонаправлена шина даних з високоімпедансним станом.А0 - А1 - розряди шини даних, визначають регістр, що буде адресуватися: А1А0 = 00 - адреса каналу 0; А1А0 = 01 - адреса каналу 1; А1А0 = 10 - адреси каналу 2; А1А0 = 11 - адреса регістра керуючого слова - вибір кристала - сигнал запису - сигналу читанняCLK0 - CLK2 - вхід дозволу подачі імпульсу від зовнішнього джерелаGATE0 - GATE2 - вхід дозволу подачі імпульсу сlk на таймер/лічильникOUT0 - OUT2 - вихід таймерів/лічильниківВхідні сигнали CLK0 - CLK2 подаються через схеми із зовнішніми керуючими входами GATE0 - GATE2. Кожен лічильник має вихідний сигнал OUT. Інші вузли схеми призначені для установки режиму й реалізації інтерфейсу із системною шиною.Для функціонування таймера мікроконтролер повинен завантажити керуючі слова, значення яких позначають режим кожного лічильника, і необхідні початкові значення. У завданні нам дані параметри для програмування таймера, тому ми проініціализуємо його в розділі розробки програм ініціалізації.Електричні параметри i8254:1. Напруга живлення - 5 В2. Вихідна напруга:високого рівня - 2,4 Внизькі рівні - 0,5 В3. Вихідний струм високого рівня - 1 мА4. Вихідний струм низького рівня - 5 мА5. Вхідний струм високого рівня - 30 мкА6. Вхідний струм низького рівня - 30 мкАРис.11 - Схема підключення таймера i8254 2.4 Аналого-цифровий перетворювач (АЦП)Згідно із завданням, у нашій МПС повинен бути використаний аналого-цифровий перетворювач. Це пристрій, який перетворює аналоговий сигнал у цифровий код. Цей код повинен потрапляти на всі пристрої, таким чином, АЦП підключається до загальної шини.Варіантом передбачено використання 12ти розрядного швидко-діючого АЦП послідовного наближення, працюючого із ТТЛ-рівнями. Так як дана мікросхема не має окремого блоку цифрового керування, то включення АЦП до шини даних проводиться завдяки регістру К1810ИР82. Нижче наведено УГП MAX201В (іноземний аналог).Рис.12 - Умовно графічне позначення MAX201BОсновні електричні параметри мікросхеми приведені нижче:Напруга живлення: +5±10%В, - 15±15%Максимальний вхідний струм лог.1: 100мкАМаксимальний вхідний струм лог.0: 100мкАМінімальна вхідна напруга лог.1: 2ВМаксимальна вхідна напруга лог.0: 0,8ВМаксимальний вихідний струм лог.1: 0,5мАМаксимальний вихідний струм лог.0: 3,2мАМінімальна вихідна напруга лог.1: 2,4ВМаксимальна вихідна напруга лог.0: 0,4ВВхідна ємність по всіх виводах (на частоті 1МГц): 6пФВихідна ємність (на частоті 1МГц): 5пФПохибка перетворення: ±1/2ОМРЧас перетворення: 20мкССтрум живлення: 15мАСпоживана потужність: 800мВт2.5 Контролер клавіатури і індикаціїДля керування індикацією та сканування клавіатури використовується спеціалізована мікросхема i8279. Вона являє собою контролер клавіатури та індикації. Мікросхема має внутрішній ОЗП клавіатури та індикації, може працювати у декількох режимах і дозволяє керувати восьми - або шістнадцятирозрядною індикацією та опитувати до 128 клавіш або дискретних датчиків. Умовне графічне позначення мікросхеми приведене на рис.14. Рис.13- Умовне-графічне позначення мікросхеми i8279Внутрішня адресація виробляється по входу A0, тому на цей вхід потрібно подати сигнал з адресної шини. Обмін даними йде по шині даних. Входи RL0-RL7 мікросхеми служать для зчитування стану клавіш клавіатури; виходи OutA3-OutA0, OutB0-OutB3 підключаються до індикаторів; виходи S0-S3 - це виходи сканування рядків клавіатури й перебору індикаторів при відображенні. При надходженні інформації від клавіатури контролер виробляє запит на переривання, виставляючи на виході IRQ сигнал активного рівня. Цей сигнал надходить на один із входів зовнішніх переривань мікроконтролера.Найменування виводів мікросхеми i8279:D0…D7 - входи-виходи з третім станомCS - вибір мікросхемиRD - читанняWR - записA0 або C/D - команда / данніCLK - синхронізаціяRES - початкова установаS0…S3 - скануванняBD - гасіння індикаціїOUTA3… OUTA0, OUTB3… OUTB0 - коди символівR0…R7 - прийом сигналів з клавіатуриSHIFT - верхній / нижній регістрIRQ - запит перериванняТехнологічні та електричні характеристики:Технологія - ТТЛШНапруга живлення, В - 5Вихідна напруга, В:високого рівня - 2,4низького рівня - 0.45Вихідний струм, мA:при напрузі низького рівня - 5при напрузі високого рівня - 1Вхідний струм, мкA:низького рівня - 30високого рівня - 30Потужність - 350 мВтСтрум споживання - 60 мАРежими роботи інтерфейсу клавіатури:1. Послідовне опитування матриці клавіш із декодуванням і забороною уведення двох одночасно натиснутих клавіш.2. Послідовне опитування з дешифруванням лічильника сканування з дозволом натискання N клавіш (N<=8).3. Послідовний режим без дешифрації клавіш із забороною уведення 2х і більше натиснутих клавіш (S0-S3 - Висновки лічильника, до нього підключений 8 розрядний дешифратор (128 кл))4. Послідовне опитування без дешифрування й з дозволом N натиснутих клавіш N<=8.5. Послідовне опитування матриці датчиків з дешифруванням матриці сканування.6. Послідовне опитування матриці датчиків без дешифрування матриці сканування.7. Стробований вхід з дешифруванням лічильника сканування, що використається для опитування.8. Стробований вхід без дешифрування лічильника сканування, що використається для опитування.Режими роботи блоку індикації:0. Виводить символ на 8мі розрядну індикацію, з розміщенням їх ліворуч праворуч.1. Виводить символ на 16ти розрядну індикацію, з розміщенням їх ліворуч праворуч.2. Виводить символ на 8мі розрядну індикацію, зі зрушенням раніше відображеної інформації вліво.3. Виводить символ на 16ти розрядну індикацію, зі зрушенням раніше відображеної інформації вліво.Згідно завданню треба організувати 8 індикаторів та 11 клавіш.Для перетворення двійкового коду у семисегментний використаємо дешифратор К155ИД7, який має три входи і вісім виходів, чого достатньо для виконання поставленої задачі. Даний дешифратор у своєму составі має керуючі входи для організації динамічної індикації. Рис.14 - Умовне графічне позначення К155ИД7Найменування виводів:А0-А2 - адресні входи,Q0-Q7 - лінії виходу,С1-С3 - ліній вибору мікросхеми.Технологічні та електричні характеристики:Технологія - ТТЛШНапруга живлення, V - 5Вихідна напруга, Vвисокого рівня - 2,2низького рівня - 0.8Вихідний струм, mAпри напрузі високого рівня - 20при напрузі низького рівня - 8Струм споживання, mA - 74 Рис.15 - Схема підключення блоку i8279Сформуємо формат команди встановлення режиму роботи контролера:ICW1 = 00000001B = 01HОбрано Режим 0 роботи інтерфейсу індикації та Режим 1 роботи інтерфейсу клавіатури, вивід символів на 8мі розрядну індикацію з розміщенням їх ліворуч праворуч та з запереченням натискання двох або більше клавіш.Сформуємо формат команди програмування синхронізації: ICW2 = 00110100B = 34H. Коефіцієнт переліку вибрано рівним 20, тобто 10100В, тому що внутрішня частота інтерфейсу не повинна перевищувати 100кГц (2МГц /20 = 100кГц).Сформуємо формат команди запису у ОЗП індикації:ICW3 = 10010000B = 90HСформуємо формат команди читання ОЗП клавіатури:ICW4 = 01010000B = 50H Програма ініціалізації контролера клавіатури і індикації i8279|
Мітка | Мнємокод | Операнди | Коментарії | | i8279: m1: | . equ . equ . equ . equ . equ . equ ldi sts ldi sts ldi sts ldi ldi mov sts dec cpi brne ldi lds mov ret | ICW1 = 0x01 ICW2 = 0x34 ICW3 = 0x90 ICW4 = 0x50 Adr2 = 0x8000 Adr1 = 0x8001 R0, ICW1 Adr1, R0 R0, ICW2 Adr1, R0 R0, ICW3 Adr1, R0 R1, 0x08 R2, 0x100 R3, R2 Adr2, R3 R2 R2, 0 m1 R4, 0x300 R5, Adr2 R4, R5 | ; команда установки режиму ; команда программ. синхронізації ; команда запису в ОЗП індикації ; команда читання ОЗП клавіатури ; адреса завантаження команд ; адреса завантаження даних ; завантаження команди режиму роботи ; у контролер ; завантаження команди програмування ; синхронізації у котролер ; завантаження команди запису в ОЗП ; індикації у контролер ; завантаження лічильника ; завантаження початкової адреси ; завантаження даних в ОЗП індикації ; декремент регістру ; порівняння значення в регістрі з 0 ; перехід на мітку, якщо не рівно 0 ; завантаження початкової адреси ; читання ОЗП клавіатури ; зміст регістру R5 відправити у пам'ять по адресу, який знаходиться в R4 | | |
2.6 Адаптер послідовного інтерфейсу Intel 8251Адаптер послідовного інтерфейсу слугує для обміну інформацією у послідовному коді у двох режимах: асинхронному та синхронному.Умовно графічне зображення адаптеру наведено на Рис.16 Рис.16 - Адаптер послідовного інтерфейсу i8254Електричні параметри i8251:1. Напруга живлення - 5 В2. Вихідна напруга:високого рівня - 2,4 Внизькі рівні - 0,45 В3. Вихідний струм високого рівня - 1 мА4. Вихідний струм низького рівня - 5 мА5. Вхідний струм високого рівня - 30 мкА6. Вхідний струм низького рівня - 30 мкАПрограмування адаптеру послідовного інтерфейсу Intel 8251Завдання: Запрограмувати адаптер i8251 для роботи у асинхронному режимі на випадок:кількість стоп-біт: 2кількість інформаційних біт: 8контроль парностікоеф. ділення частоти синхронізації: 16кількість посилок: 48Програма:Спочатку сформуємо слово приказу - 11011110 #DEHПочатковий адрес у пам'яті #100НКінцевий адрес у пам'яті #130НАдреса адаптеру #E000Hi8251: ; оголошення констант. equadr1 = 0xE001; адреса А0=1. equadr2 = 0xE000; адреса адаптеру. equmask1 = 0x01; відокремлення TxRDY. equmask2 = 0x02; відокремлення RxRDY. equmask3 = 0b00111000; виявлення помилокldiR0, 0xDE; слово приказуstsadr1, R0; програмув. на асинхр. режимm1: ldiR0, 0x01; завантаження РПД=1stsadr1, R0; слово команда, дозвіл; передачіm2: ldsR0, adr1; читання слова-стануandiR0, mask1; маскування біта TxRDYbreqm2ldiR31, 0x01; поч. адреса для видачі 100H потрапляє у; старший байт Z (ZH=R31)ldiR2, 0x30; 48 посилокm3: ; програмув. передачіld R3, Z+; передача із слідуючої комірки у РОНstsadr2, R3; видача байту інформаціїdecR2; декримент лічильникаcpiR2, 0brnem3RETm4: ldiR0, 0x04; завантаження РПД=1stsadr1, R0; слово команда, дозвіл; прийомуm5: ldsR0, adr1; читання слова-стануandiR0, mask2; маскування біта RxRDYbreqm5ldsR0, adr1; читання слова-стануandiR0, mask3; перевірка на факт помилкиbrneerrorldiR30, 0x31; поч. адреса для прийому 131H; потрапляє побайтово до молодшого та; старшого байтів рег. Z (ZL=R30)ldiR31, 0x01; (ZH=R31)ldiR2, 0x30; 48 посилокm6: ; програмув. прийомуldsR3, adr2; прийом байту інформаціїstZ+, R3; прийом у слідуючу комірку РОНdecR2; декримент лічильникаcpiR2, 0brnem6RET2.7 Розрахунок електричних навантажень на лінії мікросхемПроведемо розрахунок навантажувальних характеристик для виходів мікроконтролера для шини даних, адреси і керування.Навантаження на шину даних мікроконтролера визначається по формулі:IвихDL =IвхСKI + IвхPIТ + IвхOZU + IвхPZU + IвхACP = 0,03 + 0,03 + 1,6 + 0,25 + 0,1 = = 2,01 мА;IвихDH = IвхCKI + IвхPIТ + IвхOZU + IвхPZU +IвхACP = 0,03 + 0,03 + 0,1 + 0,04 + 0,1 = = 0,3 мА;СD = СCKI + СPIТ + СOZU + СPZU + СACP = 5 + 5 + 25 + 35 + 6 = 76 пФ. Так як навантаження на шину даних не перевищує 40 мА, то використання додаткового шиного формувача не потрібне. Використаний буферний регістр відповідає поставленим вимогам.Навантаження на шину адреси мікроконтролера визначається по формулі:IвихАL =IвхСKI + IвхPIТ + IвхOZU + IвхPZU = 0,03 + 0,03 + 1,6 + 0,50 = 2,16 мА;IвихАH = IвхCKI + IвхPIТ + IвхOZU + IвхPZU = 0,03 + 0,03 + 0,1 + 0,08 = 0,24 мА;СА = СCKI + СPIТ + СOZU + СPZU = 5 + 5 + 25 + 30 = 65 пФ.Так як навантаження на шину адреси не перевищує 40 мА, то використання додаткового шиного формувача не потрібне. Використаний буферний регістр відповідає поставленим вимогам.Навантаження на шину керування мікроконтролера визначається по формулі:IвихСL =IвхСKI + IвхPIТ + IвхOZU + IвхPZU = 0,03 + 0,03 + 1,6 + 0,25 = 1,94 мА;IвихСH = IвхCKI + IвхPIТ + IвхOZU + IвхPZU = 0,03 + 0,03 + 0,1 + 0,04 = 0,23 мА;СС = СCKI + СPIТ + СOZU + СPZU = 5 + 5 + 25 + 25 = 60 пФ.Отримані при розрахунку значення струмув та ємностей не перевищують граничні значення. ВисновкиВ ході виконання курсової роботи була розроблена повна принципова схема мікропроцесорної системи. Були розглянуті різні варіанти структурної та принципової схем. Згідно із завданням складена програма ініціалізації окремих блоків. Обрані та розраховані необхідні у системі елементи. Була розглянута видача і запис інформації в пам'ять, АЦП, керування системою за допомогою клавіатури та індикації.Виконання курсової дозволить у подальшому без труднощів розробляти подібні та ще більш складні процесорні системи.
Страницы: 1, 2, 3
|
