на тему рефераты Информационно-образоательный портал
Рефераты, курсовые, дипломы, научные работы,
на тему рефераты
на тему рефераты
МЕНЮ|
на тему рефераты
поиск
Печатные платы

упрощает процесс.

Изопланарная технология совмещает

преимущества планарной и меза-технологии, она

позволяет избежать неоднородности

электрического поля на периферии планарного p-

n перехода, снизить паразитные емкости между

активными областями структуры, повысить

качество изоляции и степень интеграции ИМС.

Процессы «Изопланар I» и «Изопланар II»

иллюстрируют рис 21 и рис 22 соответственно.

6.5 Изготовление толстооксидных p-МОП-ИМС и n-МОП-ИМС

Рассмотрим наиболее простые типовые процессы изготовления ИМС с

металлическими затворами и толстой пленкой оксида между металлизацией и

пластиной кремния. Это уменьшает паразитные емкости, а также дает некоторые

другие преимущества перед ранее применяемой тонкооксидной технологией.

-----------------------

1

2

3

4

5

6

Рис 1. Схема выращивания монокристалла (метод Чорхальского).

1 – затравка;

2 – обмотка электропечи;

3 – инертный газ;

4 – вытягиваемый монокристалл;

5 – тигель;

6 – расплав полупроводника;

1

4

3

2

5

Рис 2. Схема зонной плавки.

1 – расплав;

2 – держатель;

3 – поликристалл;

4 – нагреватель;

5 – монокристалл;

4

1

2

3

5

6

7

8

Рис 3. Схема резки стальными полотнами.

1 – обойма;

2 – стальное полотно;

3 – сопло подачи суспензии;

4 – разрезаемая пластина;

5 – прокладка;

6 – столик;

7 – рычаг;

8 – груз.

1

2

3

4

5

6

Рис 4. Схема резки диском с внешней алмазосодержащей режущей кромкой.

1 – сопло подачи СОЖ;

2 – режущая кромка диска;

3 – основа диска;

4 – разрезаемая пластина;

5 – клеящий материал;

6 – оправка для закрепления.

1

2

3

4

5

Рис 5. Схема процесса резки диском с внутренней алмазосодержащей режущей

кромкой.

1 – сопло подачи СОЖ;

2 – слиток;

3 – основа диска;

4 – опревка для закрепления слитка;

5 – режущая кромка диска.

1

2

3

Рис 6. Резка пластин ультразвуком.

1 – абразив;

2 – инструмент;

3 – разрезаемая пластина;

1

Рис 7. Схема процесса двустороннего шлифования и полирования пластин.

1 – верхний шлифовальник;

2 – отверстие для поступления абразивной суспензии в зону обработки;

3 – дозатор подачи суспензии;

4 – прослойка абразивной суспензии;

5 – зубчатое кольцо-сепаратор;

6 – периферийное зубчатое колесо;

7 – нижний шлифовальник;

8 – центральная шестерня;

9 –пластина кремния.

2

3

4

5

6

7

8

9

5

4

Вода

2

3

1

в)

6

4

5

Рис 8. Схема процесса обезжиривания пластин погружением в органический

растворитель.

1 – отстойник;

2 – блок герметичных ванн;

3 – охлаждающий змеевик;

4 – перегонный куб;

5 – нагреватели;

6 – кассета с пластинами.

1

Рис 9. Схема процесса ультразвуковой очистки в протоке.

1 – ванна;

2 – кассета с пластинами;

3 – конденсатор;

4 – ультразвуковой генератор;

5 – магнитострикционный излучатель.

2

3

4

5

11

Рис 10. Схема химико-динамической полировки.

1 – двигатель;

2 – фторопластовый стакан;

3 – вытяжка;

4 – травитель;

5 – обрабатываемая пластина;

6 – кронштейн.

2

3

4

5

6

б)

а)

Травитель

Свет

Si

3

2

1

Рис 11. Основные этапы фотолитографии по кремнию.

а) – процесс засветки фоторезиста (2) через фотошаблон (1);

б) – травление оксидной пленки (3) через «окно» в проявленном и задубленном

фоторезисте;

в) – пластина после удаления фоторезиста.

n

а)

б)

в)

г)

р

р+

р

р

n

n+

n

n

Рис 12. Примеры использования процесса диффузии примесей.

а) – локальная диффузия в пластину;

б) – локальная диффузия в эпитаксиальный слой;

в) – общая диффузия на одной из поверхностей пластин;

г) – двойная диффузия: общая (р-слой) и локальная (n-слой).

Рис 13. Схема ионного легирования.

1 – источник ионов;

2 – анализатор по массе;

3 – электростатический ускоритель ионов;

4 – щель;

5 – фокусирующая система;

6 – сканирующая система;

7 – приемная камера;

8 – полупроводниковая пластина;

9 – высоковольтный источник.

7

6

5

4

3

9

8

2

1

Рис 14. Элементы ИМС. – р область

а) – n-p-n транзистор; – n область

б) – резистор;

в) – конденсатор;

– р+ область

– SiO2 – n+ область

в)

а)

б)

С

R

С

Б

С

R

К

Э

[pic]

Э

Б

К

5

6

2

1

3

4

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

n

n

n

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

3…25 мкм

Рис 16 Схема изготовления эпитаксиально-планарной биполярной ИМС с помощбю

разделительной диффузии.

а) – термическое оксидирование и первая фотолитография;

б) – локальная диффузия;

в) – эпитаксия;

г) – термическое оксидирование и вторая фотолитография;

д) – разделительная диффузия;

е) – формирование базовых областей;

ж) – формирование эмиттерных и приконтактных областей коллекторов;

з) – формирование металлизации.

з)

в)

ж)

Рис 18 Схема изготовления изолированных карманов биполярной ИМС с

применением поликристаллического кремния (эпик-процесс).

а) – эпитаксия;

б) – термическое оксидирование и фотолитография;

в) – локальное травление;

г) – удаление SiO2 –маск, осаждение SiO2 –пленки;

д) – выращивание поликристаллического кремния;

е) – шлифовка со стороны исходной пластины.

е)

б)

д)

а)

в)

б)

(

Рис 17 Схема изготовления биполярной ИМС с помощью коллекторной

изолирующей диффузии.

а) – исходная эпитаксиальная структура;

б) – коллекторная изолирующая диффузия;

в) – базовая p+ -диффузия;

г) – формирование эмиттеров и металлизации.

а)

г)

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

з)

г)

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

(

Рис 19 Схема изготовления комплементарных биполярных ИМС с применением

поликристаллического кремния.

а) – локальная диффузия;

б) – локальное травление;

в) – выращивание SiO2 и поликристаллического кремния;

г) – шлифовка со стороны исходной пластины.

[pic]

Рис 21 Структура "Изопланар II".

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

(

Рис 20 Схема процесса "Изопланар I" изготовления биполярных схем ИМС с

комбинированной изоляцией.

а) – осаждение пленки нитрида кремния;

б) – фотолитография и локальное травление;

в) – локальное термическое оксидирование;

г) – удаление маски и формирование элементов;

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

(

Рис 20 Изготовление биполярных ИМС с изоляцией стеклом, ситаллом или

керамикой.

а) – формирование элементов;

б) – получение мезаобластей;

в) – наклейка вспомогательной пластины;

г) – шлифовка;

д) – запрессовка элементов в стекло, ситалл или керамику;

е)удаление вспомогательной пластины.

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5



© 2003-2013
Рефераты бесплатно, курсовые, рефераты биология, большая бибилиотека рефератов, дипломы, научные работы, рефераты право, рефераты, рефераты скачать, рефераты литература, курсовые работы, реферат, доклады, рефераты медицина, рефераты на тему, сочинения, реферат бесплатно, рефераты авиация, рефераты психология, рефераты математика, рефераты кулинария, рефераты логистика, рефераты анатомия, рефераты маркетинг, рефераты релиния, рефераты социология, рефераты менеджемент.